型　 号：JEM-2100F STEM/EDS　

　　生产国别、公司：日本，JEOL

　　主要技术指标：

　　  TEM 分辨力：0.23nm（点），0.102nm(晶格)

　　  STEM分辨力：0.20nm（晶格）

　　  最小束斑尺寸：0.5nm

　　  放大倍数：50倍~1100万倍

　　  加速电压：160－ 200kV

　　  EDS X射线能量分辩力：132eV

　　  元素分析范围：B－U

　　  分析感量：10^-14～10^-21g

　　主要应用于材料的形貌、内部组织结构和晶体缺陷的观察；物相鉴定，包括晶胞参数的电子衍射测定；高分辨晶格和结构像观察；纳米微粒和微区的形态、大小及化学成分的点、线和面元素定性定量和分布分析。样品要求为非磁性的稳定的薄膜或粉末，视其分析内容进行样品制备。

　　Model: JEM 2100F STEM/EDS

　　Manufacturer: JEOL, Japan

　　Main Specifications：

　　　 TEM Point Resolution：0.23nm， Lattice Resolution: 0.102nm

　　　 Lattice Resolution on STEM Image: 0.20nm

　　Minimum spot size: 0.5nm

　　Accelerating Voltage:160-200 kV

　　Magnification: 50~1100k

　　X ray Energy Resulotion on EDS: 132eV

　　Scope of analytical elements: B ~U 

　　Sensitivty: 10^-14～10^-21g

　　The analytic system has the advantage of undertaking at the same time synthetic analyses for material topography, microstructure and elements. It is applied mostly to the observation to the morphology or tissue structure of materials and crystal defects; phase identification including the measurements of lattice parameters by ED and Lattice image and atomic structure image; the investigation of size of nano-particles, and the qualitative or quantitative analyses to point , line and mapping of components at the analysis microarea.